Study of the electrical parameters degradation of GaAs sub-cells for triple junction space solar cells by computer simulation (Record no. 56856)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 02050naa a2200253 a 4500
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control AR-LpUFIB
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20250311170452.0
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 230201s2016 xx o 000 0 eng d
024 8# - Otro identificador estandar
Número estándar o código DIF-M7750
-- 7970
-- DIF007080
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen AR-LpUFIB
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor AR-LpUFIB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Cappelletti, Marcelo
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Study of the electrical parameters degradation of GaAs sub-cells for triple junction space solar cells by computer simulation
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 archivo (1,9 MB)
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general Formato de archivo PDF. -- Este documento es producción intelectual de la Facultad de Informática - UNLP (Colección BIPA/Biblioteca)
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. In this paper, a theoretical study of the electrical parameters degradation of different n-type GaAs sub-cells for InGaP/GaAs/Ge triple junction solar cells irradiated with 1 and 5 MeV electrons has been performed by means of computer simulation. Effects of base carrier concentration upon the maximum power point, short-circuit current, open circuit voltage, diffusion current, recombination current and series resistance of these devices have been researched using the displacement damage dose method, the one-dimensional PC1D device modeling program and a home-made numerical code based on genetic algorithms. The radiative recombination lifetime, damage constant for minority-carrier lifetime and carrier removal rate models for GaAs sub-cells have been used in the simulations. An analytical model has been proposed, which is useful to describe the radiation-induced degradation of diffusion current, recombination current and series resistance. Results obtained in this work can be used to predict the radiation resistance of solar cells over a wide range of energies.
534 ## - NOTA SOBRE LA VERSIÓN ORIGINAL
Encabezamiento principal del original Semiconductor Science and Technology, 31(11), pp. 1-8.
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada ALGORITMOS GENÉTICOS
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Casas, Guillermo
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Morales, Daniel Martín
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Hasperué, Waldo
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Peltzer y Blancá, Eitel Leopoldo
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso <a href="http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/115020">http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/115020</a>
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Capítulo de libro
Holdings
Estado de retiro Estado de pérdida Estado dañado Disponibilidad Colección Biblioteca permanente Biblioteca actual Fecha de adquisición Total de préstamos Signatura topográfica completa Fecha visto por última vez Identificador Uniforme del Recurso Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
      Recurso en Línea Biblioteca digital Biblioteca de la Facultad de Informática Biblioteca de la Facultad de Informática 11/03/2025   A0909 11/03/2025 http://catalogo.info.unlp.edu.ar/meran/getDocument.pl?id=1654 11/03/2025 Capítulo de libro